[电力电子技术试题及答案]电力电子技术试卷

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试卷

一、填空题(每空1分)

1. 电力电子器件一般工作在______状态。

2. 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为________,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为_________。

3. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_______、_______、_______ 三类。

4. 晶闸管的导通条件为________和_________。

5. 单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为______。

6. 电力MOSFET 是______控制型器件,其输入阻抗_____,输入电流______。

7. 电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为_____,重载时输出电压 趋近_____。

8. 三相半波可控整流电路带阻感负载时, 的移相范围为_______。

9. 逆变电路是把____电流变成______电流。

10. 无源逆变电路的换流方式有______、______、______。

11. 单项半波可控整流电路存在变压器________问题。

12. 请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 ;可关断晶闸管 ;功率场效应晶体管 ;绝缘栅双极型晶体管 ;IGBT 是和的复合器件。

13. 电力晶体管的电流是由_____和______两种载流子运动形成的。

14. IGBT 的开通和关断是由______决定的。

15. 在电流型逆变电路中,输出电压波形为_____波,输出电流波形为____波。

16. 谐波次数是谐波频率与______的整数比。

17. 反激变换器不能工作在______状态。

18. 单相全波可控整流电路变压器副边有______结构、适用于_______的场合。

19.Boost 变换器输入电压比输入电压_____,故又称其为_______电路。

20. 线感性负载并接适当的______可将功率因数提高到接近于_______。

21.GTR 发生二次击穿时必须同时具备的三个条件为_______、________、________。

22.IGBT 存在_____效应,又可称其为______效应、其最高节温为______。

23. 快速熔断器对器件的保护方式可分为______和______两种。

24. 半桥变换器每个开关管的工作占空比D 位于______范围内。

25.DC-DC 双端变换器高压输出的情况下一般采用________电路。

26. 有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK 表示______; 200表示表示,9表示______。

27. 横向换流方式每个桥臂一周期内导电_____。纵向换流需采用______的方法防止直流侧短路。

28. 交流调压电路基本原理是把两个晶闸管先_____后______在交流电路中。

29. 在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是_______,负载是阻感性时移相范围是_______。

30. 交流调功是以_________为单位控制晶闸管的通断。

二、选择题(每题3分)

1. 电力电子器件中工作频率最高的是( )。

A 、GTOB、MOSFETC、IGBTD、GTR

2. 门极可关断晶闸管属于( )型器件。

A 、不可控 B半控C、全控D、其它

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